Identificado un factor clave en la generación de la memoria inmunológica
- netmd
- 11 de mayo de 2018
- Alergología e Inmunología Clínica
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Un estudio revela que el factor de transcripción Runx3 dirige la conversión de los linfocitos T en fase de proliferación al fenotipo de memoria.
Científicos del Instituto de Investigación Scripps han descubierto el mecanismo molecular que da lugar a los linfocitos T de memoria (Tm), una población celular que permite la rápida neutralización de patógenos con los que el sistema inmunitario ya se encuentra familiarizado.
Matthew Pipkin, director del equipo, afirma que a pesar de la importancia de estas células, hasta ahora su desarrollo seguía siendo un enigma. En el estudio se demuestra que los niveles del factor de transcripción Runx3 tienen un efecto determinístico en la diferenciación de los linfocitos T en fase de proliferación. También ofrece evidencia molecular de que la programación de la memoria inmunológica ocurre de manera muy rápida, separándola claramente de la vía que conduce a la generación de linfocitos T efectores, población que a diferencia de los Tm presenta una vida muy corta.
La supresión de Runx3 mediante un ARN de interferencia resultó en la eliminación de los precursores que dan lugar a los Tm, mientras que el aumento de expresión aumentó la producción de estas células. La sobre-expresión de Runx3 se asoció a mayor eficiencia en la generación de nuevas remesas de Tm tras infecciones repetidas con virus y bacterias, lo que pone de manifiesto el potencial de este factor de transcripción en el aumento de la memoria inmunológica. Pipkin afirma que este efecto podría ser explotado para desarrollar terapias inmunológicas más eficaces contra las infecciones y el cáncer.
